תוכן עניינים:
סמסונג ממשיכה להתקדם בפיתוח שבבים המשפרים משמעותית את הביצועים, מיטוב האנרגיה והאוטונומיה של המסופים הניידים שלה. במונחים אלה, היא הודיעה זה עתה כי המהנדסים שלה נמצאים בתהליך פיתוח שבב חדש בעל שלושה ננומטר, שנבנה מטכנולוגיית 'Get-all-around', המחליפה את מערכת הלחימה FinFET הנוכחית. עם השבב החדש הזה שנבנה בשלושה ננומטרים, היינו עדים להתפתחות אמיתית, תוך התאמה לטכנולוגיות החדשות של בינה מלאכותית ונהיגה אוטונומית.
שבבים עם 3 ננומטר ישתמשו במחצית הסוללה מאשר הנוכחי
אם נשווה את השבב שנבנה בשלושה ננומטר לאלו שאנו מכירים כיום המיוצרים בשבעה ננומטר, זה היה מקטין את גודל השבב עד 45%, 50% פחות צריכת חשמל ועליית יעילות בשיעור של 35%. הטכנולוגיה החדשה 'קבל הכל מסביב', עליה פטנט סמסונג, משתמשת בארכיטקטורת ננו-גיליונות אנכית (מבנה ננו-דו-ממדי בעובי בסולם של 1 עד 10 ננומטר), ומאפשר זרם חשמלי גדול יותר לסוללה בהשוואה לתהליך FinFET הנוכחי.
באפריל האחרון סמסונג כבר שיתפה עם לקוחותיה את ערכת הפיתוח הראשונה לשבב חדש זה, מה שהפך את השקת השוק שלה לקצרה יותר ושיפרה את התחרותיות של העיצוב שלה. כרגע, מהנדסי סמסונג נמצאים עמוק בתחום שיפור הביצועים והיעילות האנרגטית. אם לא נוכל לשים סוללות בשבועות האחרונים, נצטרך לשפר את המעבדים.
בנוסף לשבב החדש שנבנה בשלושה ננומטר, סמסונג מתכננת להתחיל בייצור המוני של מעבדים למכשירים, שנבנו בשישה ננומטר, במחצית השנייה של השנה. תהליך FinFET שמצליח להרכיב חמישה ננומטר צפוי להופיע עד סוף השנה והייצור ההמוני שלו צפוי במחצית הראשונה של השנה הבאה. בנוסף, החברה נערכת גם לפיתוח מעבדי ארבעה הננומטר בהמשך השנה. באיזו נקודה יופיעו השבבים המיוחלים שנבנו בשלושה ננומטר? עדיין מוקדם לומר.
